1. 電位移密度單位

帶有磁性的原子核在外磁場(chǎng)的作用下發(fā)生自旋能級(jí)分裂，當(dāng)吸收外來(lái)電磁輻射時(shí),，將發(fā)生核自旋能級(jí)的躍遷,，從而產(chǎn)生核磁共振現(xiàn)象。

在有機(jī)化合物中,，處在不同結(jié)構(gòu)和位置上的各種氫核周圍的電子云密度不同,，導(dǎo)致共振頻率有差異，即產(chǎn)生共振吸收峰的位移,，稱為化學(xué)位移,。

2. 位移電流密度單位

因?yàn)榄h(huán)路L1圈住得比較小，所以肯定是電流比較小的（因?yàn)槲灰齐娏髅芏忍幪幭嗟龋?/p>

3. 位移電流密度數(shù)學(xué)表達(dá)式

△r=r(t2)-r(t1)

在物理學(xué)中,，△常常作為變量的前綴使用,，表示該變量的變化量，如：△t（時(shí)間變化量）,、△T（溫度變化量）,、△X（位移變化量）、△v（速度變化量）等等,。

4. 電位移等于電荷密度

在電場(chǎng)中存在電介質(zhì)的情況下,， 電場(chǎng)強(qiáng)度等于自由電荷和極化電荷所激發(fā)的場(chǎng)的疊加， 為真空中的介電常數(shù),，移項(xiàng)得： 方括號(hào)中項(xiàng)只與電荷密度有關(guān),，因此將括號(hào)中項(xiàng)稱為電位移矢量，即： ( 為真空介電常數(shù) , 為此電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù),； 為電極化強(qiáng)度;國(guó)際單位制(SI)中 單位: )

5. 電位移的單位

介電常數(shù)又叫介質(zhì)常數(shù),介電系數(shù)或電容率,它是表示絕緣能力特性的一個(gè)系數(shù),以字母ε表示,單位為法/米 .

它是一個(gè)在電的位移和電場(chǎng)強(qiáng)度之間存在的比例常量.這一個(gè)常量在自由的空間（一個(gè)真空）中是8.85×10的-12次方法拉第/米（F/m）.在其它的材料中,介電系數(shù)可能差別很大,經(jīng)常遠(yuǎn)大于真空中的數(shù)值,其符號(hào)是eo.

在工程應(yīng)用中,介電系數(shù)時(shí)常在以相對(duì)介電系數(shù)的形式被表達(dá),而不是絕對(duì)值.如果eo表現(xiàn)自由空間（是,8.85×10的-12次方F/m）的介電系數(shù),而且e是在材料中的介電系數(shù),則這個(gè)材料的相對(duì)介電系數(shù)（也叫介電常數(shù)）由下式給出：ε1＝ε / εo＝ε×1.13×10的11次方 

很多不同的物質(zhì)的介電常數(shù)超過1.這些物質(zhì)通常被稱為絕緣體材料,或是絕緣體.普遍使用的絕緣體包括玻璃,紙,云母,各種不同的陶瓷,聚乙烯和特定的金屬氧化物.絕緣體被用于交流電.泡沫塑料用聚苯乙烯,、聚氯乙烯、聚氨基甲酸酯等樹脂制成 聚苯乙烯2.2.6 ,介電常數(shù)有相對(duì)介電常數(shù)和有效介電常數(shù)之分,平時(shí)我們說(shuō)的介電常數(shù)就是相對(duì)介電常數(shù),硅的相對(duì)介電常數(shù)是11.9 .（AC）,聲音電波（AF）和無(wú)線電電波（射頻）的電容器和輸電線路.

一個(gè)電容板中充入介電常數(shù)為ε的物質(zhì)后電容變大ε倍

6. 電位移和電流密度

電磁場(chǎng)在兩種不同媒質(zhì)分界面上，從一側(cè)過渡到另一側(cè)時(shí),，場(chǎng)矢量E,、D、B,、H一般都有一個(gè)躍變,。電磁場(chǎng)的邊界條件就是指場(chǎng)矢量的這種躍變所遵從的條件，也就是兩側(cè)切向分量之間以及法向分量之間的關(guān)系,。在某些電動(dòng)力學(xué)或電磁場(chǎng)理論的書中,，為了與另一種邊界條件（在區(qū)域的表面上給定的有關(guān)場(chǎng)矢量的邊值）相區(qū)別，將本條所解釋的電磁場(chǎng)邊界條件稱為電磁場(chǎng)的邊值關(guān)系,。 電磁場(chǎng)的邊界條件可以由麥克斯韋方程組的積分形式推出,，它實(shí)際上是積分形式的極限結(jié)果。這些邊界條件是

n·(D1-D2)=ρs,； (1)

n×(E1-E2)=0,； (2)

n·(B1-B2)=0； (3)

n×(H1-H2)=J)s,。 (4)

式中n為兩媒質(zhì)分界面法線方向的單位矢量,，場(chǎng)矢量E、D,、B,、H的下標(biāo)1或2分別表示在媒質(zhì)1或2內(nèi)緊靠分界面的場(chǎng)矢量,ρs為分界面上的自由電荷面密度,Js為分界面上的傳導(dǎo)電流面密度。式(1)表示在分界面兩側(cè)電位移矢量D的法向分量的差等于分界面上的自由電荷面密度,。當(dāng)分界面上無(wú)自由電荷時(shí)，兩側(cè)電位移矢量的法向分量相等,即其法向分量是連續(xù)的,。式(2)表示在分界面兩側(cè)電場(chǎng)強(qiáng)度E的切向分量是連續(xù)的,。式(3)表示在分界面兩側(cè)磁通密度B的法向分量是連續(xù)的。式(4)表示在分界面兩側(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度H的切向分量的差等于分界面上的表面?zhèn)鲗?dǎo)電流面密度,。當(dāng)分界面上無(wú)表面?zhèn)鲗?dǎo)電流時(shí),，兩側(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量相等，即其切向分量是連續(xù)的,。 當(dāng)媒質(zhì)2為理想導(dǎo)體時(shí),，E2、D2,、B2,、H2等于零，式(1)表示D1的法向分量等于自由電荷面密度,；式(2)表示E1無(wú)切向分量式(3)表示B1的法向分量為零,；式(4)表示H1的切向分量等于表面?zhèn)鲗?dǎo)電流面密度,并且與電流方向正交